Rectron USA RM120N40T2
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
メーカー品番 :RM120N40T2
メーカーです :Rectron USA
Dasenic Part :RM120N40T2-DS
ドキュメント :
RM120N40T2 ドキュメント
RM120N40T2 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 1.6500 | $ 16.5 |
| 2000+ | $ 1.1000 | $ 2200 |
在庫: 2061
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 1.65
合計 :$ 1.65
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
RM120N40T2 情報
Rectron USA RM120N40T2 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-3
- 消費電力（最大）:130W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:120A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5400 pF @ 20 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RM120N40T2 提供 Rectron USA
レクトロン社は1976年に台湾政府の主導で設立され、台湾の資本と技術で半導体シリコン整流器を製造した最初の企業です。1985年に政府の認可を受け、台湾証券取引所に上場しました（株式コード2302）。40年以上の生産と管理の経験を持つレクトロン社は、垂直統合生産と組み立てアプローチを使用して、主に整流ダイオードを製造販売しています。これらの製品は、車両、家電製品、通信機器、コンピューター、端末、LED照明に使用されています。生産と販売の構成では、新北市の本社工場に加えて、中国の浙江省に生産拠点が拡大しています。レクトロンの販売拠点は、ロサンゼルスと香港の販売会社を含む世界中に広がっており、より充実した効率的な近隣サービスを顧客に提供することを目指しています。
Rectron USA 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
