PN Junction Semiconductor P3D06002G2
DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO263-2
メーカー品番 :P3D06002G2
メーカーです :PN Junction Semiconductor
Dasenic Part :P3D06002G2-DS
ドキュメント :
P3D06002G2 ドキュメント
P3D06002G2 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO263-2
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 4.2000 | $ 4.2 |
| 11+ | $ 3.7800 | $ 41.58 |
| 101+ | $ 4.2000 | $ 424.2 |
| 501+ | $ 2.7300 | $ 1367.73 |
| 1001+ | $ 2.3940 | $ 2396.39 |
在庫: 2866
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 4.2
合計 :$ 4.20
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
P3D06002G2 情報
PN Junction Semiconductor P3D06002G2 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:TO-263-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-2
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):7A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:-
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 650 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C (TJ)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
P3D06002G2 提供 PN Junction Semiconductor
PN Junction Semiconductorは、2018年9月に中国の第3世代パワー半導体デバイスのリーディングブランドとして設立されました。同社の主力製品は、車載グレードのシリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドSBD、窒化ガリウムパワーデバイスです。同社は中国で最も包括的なシリコンカーバイドパワーデバイスのカタログを所有しており、さまざまな電圧レベルと電流容量をカバーするシリコンカーバイドMOSFETとSBDはすべてAEC-Q101テストと認証に合格しており、顧客のさまざまなアプリケーションシナリオを満たすことができます。PN Junction Semiconductorの創設者であるHuang Xing博士は、2009年からシリコンカーバイドと窒化ガリウムパワーデバイスの設計と開発に深く関わり、IGBTの発明者であるB. Jayant Baliga教授とサイリスタの発明者であるAlex Huang教授に師事しました。現在、PN Junction Semiconductorは、650V、1200V、1700Vの電圧プラットフォーム上で、シリコンカーバイドダイオード、シリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドパワーモジュール、GaN HEMT製品の100種類以上のモデルをリリースしています。量産製品は、電気自動車、IT機器電源、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、産業用アプリケーションなどの分野で広く使用されており、Tier 1メーカーに継続的かつ安定した供給を提供しています。
PN Junction Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
