Rochester Electronics FDD6680A
MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
メーカー品番 :FDD6680A
メーカーです :Rochester Electronics
Dasenic Part :FDD6680A-DS
ドキュメント :
FDD6680A ドキュメント
FDD6680A ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 1.3230 | $ 1.32 |
| 25+ | $ 1.2960 | $ 32.4 |
| 100+ | $ 1.2420 | $ 124.2 |
| 500+ | $ 1.1880 | $ 594 |
| 1000+ | $ 1.1250 | $ 1125 |
在庫: 22390
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 1.323
合計 :$ 1.32
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
FDD6680A 情報
Rochester Electronics FDD6680A 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252, (D-Pak)
- 消費電力（最大）:2.8W (Ta), 60W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:14A (Ta), 56A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:9.5mOhm @ 14A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:20 nC @ 5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1425 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FDD6680A 提供 Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
Rochester Electronics 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
