Nexperia USA Inc. PSMN4R6-60BS,118
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
メーカー品番 :PSMN4R6-60BS,118
メーカーです :Nexperia USA Inc.
Dasenic Part :PSMN4R6-60BS,118-DS
ドキュメント :
PSMN4R6-60BS,118 ドキュメント
PSMN4R6-60BS,118 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.8602 | $ 8.6 |
| 800+ | $ 0.7168 | $ 573.44 |
在庫: 11447
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.8602
合計 :$ 0.86
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
PSMN4R6-60BS,118 情報
Nexperia USA Inc. PSMN4R6-60BS,118 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:D²PAK
- 消費電力（最大）:211W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.4mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:70.8 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:4426 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PSMN4R6-60BS,118 提供 Nexperia USA Inc.
Nexperia は、2017 年に NXP Semiconductors から分離して設立されたオランダの半導体企業です。Nexperia はオランダのナイメーヘンに本社を置き、アジア、ヨーロッパ、米国に製造施設を構えています。Nexperia USA Inc. は、米国の顧客にサービスを提供するために設立された Nexperia の子会社です。同社は、自動車、モバイル、コンピューティング、コンシューマー、産業など、さまざまな業界向けに幅広い半導体ソリューションを提供しています。Nexperia USA Inc. が提供する製品には、ダイオード、トランジスタ、ESD 保護デバイス、ロジック IC、電源管理 IC などがあります。同社はカリフォルニアに本社を置き、全国に営業所とエンジニアリング オフィスを構えています。Nexperia USA Inc. は、北米の顧客向けに技術サポート、設計サービス、製品流通を提供しています。
Nexperia USA Inc. 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
