IXYS IXST15N120BD1
IGBT 1200V 30A 150W TO268
メーカー品番 :IXST15N120BD1
メーカーです :IXYS
Dasenic Part :IXST15N120BD1-DS
ドキュメント :
IXST15N120BD1 ドキュメント
IXST15N120BD1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IGBT 1200V 30A 150W TO268
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
在庫: 42
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0
合計 :$ 0.00
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
IXST15N120BD1 情報
IXYS IXST15N120BD1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:150 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268AA
- 逆回復時間 (trr):30 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):30 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.4V @ 15V, 15A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):60 A
- エネルギーの切り替え:1.5mJ (off)
- ゲートチャージ:57 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:30ns/148ns
- テスト条件:960V, 15A, 10Ohm, 15V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXST15N120BD1 提供 IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
