IXYS IX2R11M6T/R
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLP
メーカー品番 :IX2R11M6T/R
メーカーです :IXYS
Dasenic Part :IX2R11M6T/R-DS
ドキュメント :
IX2R11M6T/R ドキュメント
IX2R11M6T/R ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLP
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 4.6141 | $ 46.14 |
| 3000+ | $ 2.5634 | $ 7690.2 |
| 6000+ | $ 2.4684 | $ 14810.4 |
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IX2R11M6T/R 情報
IXYS IX2R11M6T/R 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:16-VDFN Exposed Pad
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:16-MLP (7x6)
- 電圧 - 供給:10V ~ 35V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:6V, 9.5V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:2A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):500 V
- 上昇/下降時間（標準）:8ns, 7ns
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IX2R11M6T/R 提供 IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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