ISSI® IS43DR86400E-3DBL-TR
512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz
メーカー品番 :IS43DR86400E-3DBL-TR
メーカーです :ISSI®
Dasenic Part :IS43DR86400E-3DBL-TR-DS
ドキュメント :
IS43DR86400E-3DBL-TR ドキュメント
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説明する : 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz
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IS43DR86400E-3DBL-TR 情報
ISSI® IS43DR86400E-3DBL-TR 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:0°C ~ 85°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:60-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM - DDR2
- サプライヤーデバイスパッケージ:60-TWBGA (8x10.5)
- メモリサイズ:512Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.7V ~ 1.9V
- クロック周波数:333 MHz
- アクセス時間:450 ps
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:SSTL_18
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- 記憶の組織化:64M x 8
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43DR86400E-3DBL-TR 提供 ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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