Infineon Technologies IPL60R2K1C6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
メーカー品番 :IPL60R2K1C6SATMA1
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :IPL60R2K1C6SATMA1-DS
ドキュメント :
IPL60R2K1C6SATMA1 ドキュメント
IPL60R2K1C6SATMA1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 0.2828 | $ 0.28 |
| 25+ | $ 0.2771 | $ 6.93 |
| 100+ | $ 0.2658 | $ 26.58 |
| 500+ | $ 0.2545 | $ 127.25 |
| 1000+ | $ 0.2404 | $ 240.4 |
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IPL60R2K1C6SATMA1 情報
Infineon Technologies IPL60R2K1C6SATMA1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TSON-8-2
- 消費電力（最大）:21.6W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2.3A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.1Ohm @ 760mA, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 60µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:6.7 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:140 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IPL60R2K1C6SATMA1 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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