Infineon Technologies BSD816SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
メーカー品番 :BSD816SNH6327XTSA1
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :BSD816SNH6327XTSA1-DS
ドキュメント :
BSD816SNH6327XTSA1 ドキュメント
BSD816SNH6327XTSA1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 0.0375 | $ 0.04 |
| 25+ | $ 0.0368 | $ 0.92 |
| 100+ | $ 0.0353 | $ 3.53 |
| 500+ | $ 0.0338 | $ 16.9 |
| 1000+ | $ 0.0319 | $ 31.9 |
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BSD816SNH6327XTSA1 情報
Infineon Technologies BSD816SNH6327XTSA1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-SOT363-6
- 消費電力（最大）:500mW (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1.4A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:160mOhm @ 1.4A, 2.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:0.95V @ 3.7µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:0.6 nC @ 2.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:180 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.8V, 2.5V
- Vgs (最大):±8V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BSD816SNH6327XTSA1 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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