Goford Semiconductor GT100N12T
N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
メーカー品番 :GT100N12T
メーカーです :Goford Semiconductor
Dasenic Part :GT100N12T-DS
ドキュメント :
GT100N12T ドキュメント
GT100N12T ドキュメント顧客カスタム :
説明する : N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 150+ | $ 0.5202 | $ 78.03 |
| 15000+ | $ 0.4806 | $ 7209 |
| 30000+ | $ 0.4320 | $ 12960 |
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単価 :$ 0.5202
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GT100N12T 情報
Goford Semiconductor GT100N12T 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
- 消費電力（最大）:120W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):120 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:70A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:10mOhm @ 35A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:50 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3050 pF @ 60 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GT100N12T 提供 Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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