Goford Semiconductor G10N10A
N100V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<22
メーカー品番 :G10N10A
メーカーです :Goford Semiconductor
Dasenic Part :G10N10A-DS
ドキュメント :
G10N10A ドキュメント
G10N10A ドキュメント顧客カスタム :
説明する : N100V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<22
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.3116 | $ 3.12 |
| 2500+ | $ 0.1731 | $ 432.75 |
| 5000+ | $ 0.1601 | $ 800.5 |
| 7500+ | $ 0.1731 | $ 1298.25 |
| 12500+ | $ 0.1463 | $ 1828.75 |
在庫: 12822
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.3116
合計 :$ 0.31
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
G10N10A 情報
Goford Semiconductor G10N10A 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
- 消費電力（最大）:3.1W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:20mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.6V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:90 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2600 pF @ 50 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G10N10A 提供 Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
Goford Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
