GeneSiC Semiconductor FR12G02
DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
メーカー品番 :FR12G02
メーカーです :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Part :FR12G02-DS
ドキュメント :
FR12G02 ドキュメント
FR12G02 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 9.8730 | $ 9.87 |
| 10+ | $ 8.1090 | $ 81.09 |
| 25+ | $ 7.5060 | $ 187.65 |
| 100+ | $ 6.6690 | $ 666.9 |
| 250+ | $ 6.1650 | $ 1541.25 |
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FR12G02 情報
GeneSiC Semiconductor FR12G02 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
- パッケージ/ケース:DO-203AA, DO-4, Stud
- サプライヤーデバイスパッケージ:DO-4
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):12A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:800 mV @ 12 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:25 µA @ 100 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):400 V
- 逆回復時間 (trr):200 ns
- 動作温度 - 接合部:-65°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FR12G02 提供 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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