GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
メーカー品番 :1N8033-GA
メーカーです :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Part :1N8033-GA-DS
ドキュメント :
1N8033-GA ドキュメント
1N8033-GA ドキュメント顧客カスタム :
説明する : DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 3+ | $ 2040.0000 | $ 6120 |
| 5+ | $ 1296.0000 | $ 6480 |
| 8+ | $ 855.0000 | $ 6840 |
| 10+ | $ 837.9000 | $ 8379 |
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1N8033-GA 情報
GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-276AA
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-276
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):4.3A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.65 V @ 5 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 650 V
- 静電容量 @ Vr、 F:274pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 250°C
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
1N8033-GA 提供 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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